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MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=28Vdc,Pout
= 25 W Avg., and
ηD
= 30.2%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select
Tools/Software/Application Software/Calculators to access the MTTF
calculators by product.
100
17
1
0
90
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
=28Vdc
IDQ
= 1100 mA
f = 465 MHz
TC
=--30_C
25_C
10
26
25
24
23
22
80
70
C
60
50
40
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
19
300
85_C
C
-- 3 0_C
85_
21
20
18
30
20
10
25_
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
24
0 25050 100
150 200
22
23
VDD
=24V
28 V
32 V
IDQ
= 1100 mA
f = 465 MHz
21
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
108
107
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
106
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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